東京大学らは、磁性半金属テルル化クロムの強磁性転移温度、磁気異方性、異常ホール効果などの性質をゲート電圧で大きく変調することに成功した。劇的なゲート効果が観測されたため、新原理スピントロニクスデバイスへの応用展開が期待される。 https://www.t.u-tokyo.ac.jp/press/pr2024-04-15-001

東京大学と大阪大学は、世界最高性能のスピントロニクス界面マルチフェロイク構造を実証、不揮発メモリを含む全てのスピントロニクスデバイスにおける低消費電力磁化制御技術として期待される「新たな電圧情報書き込み技術」の可能性を提示した。 https://www.titech.ac.jp/news/2022/064064