Samsungの高帯域幅メモリ(HBM)、NVIDIAのテストで失敗、原因は熱と消費電力
Samsungの最新の高帯域幅メモリ(HBM)チップがNVIDIAのテストで失敗したことが明らかになりました。Reutersの報告によると、この失敗の原因は熱と消費電力の問題に起因しているとのことです。
情報筋によれば、SamsungのHBM3チップおよび次世代のHBM3eチップも同様の問題に直面している可能性があります。これらのチップは、Samsungの競合であるSK hynixやMicronも今年中に発売を予定しているものです。
Samsungはこの問題に対して、HBMのテストは計画通りに進行中であると声明を発表しました。同社は、HBMはカスタマイズされたメモリ製品であり、顧客のニーズに応じた最適化プロセスが必要であると述べています。Samsungは様々な企業と密接に協力し、技術と性能のテストを継続的に行い、HBMの品質と性能を徹底的に検証しているとしています。
一方、NVIDIAはコメントを控えています。現在、NVIDIAはAIアプリケーション向けのグローバルGPU市場で80％のシェアを占めており、その基準を満たすことはHBMメーカーにとって非常に重要です。
Reutersによれば、Samsungは昨年からHBM3およびHBM3eのテストを試みており、4月には8層および12層のHBM3eチップのテストに失敗したと報告されています。
TrendForceの分析によると、NVIDIAの次世代モデルB100またはH200には、先進的なHBM3eが採用される予定です。一方、現在のNVIDIAのH100ソリューションに対するHBM3の供給は主にSK hynixが担っています。SK hynixは2022年からNVIDIAにHBM3チップを提供しており、Financial Timesの5月の報告では、SK hynixはHBM3eチップの量産時間を50％短縮し、目標歩留まりの80％に近づいているとされています。
また、米国のメモリ大手Micronは2月に、同社のHBM3eが競合他社に比べて30％の省電力を実現し、生成AIアプリケーションの要求に応えていると発表しました。さらに、Micronの24GB 8H HBM3eはNVIDIAのH200 Tensor Core GPUに採用され、これまでNVIDIAのH100に対する唯一の供給元であったSK hynixの独占を打破する予定です。
主要競合他社がHBM3eの進展を続ける中、SamsungがNVIDIAの要件を満たすことができなければ、業界や投資家はSamsungがHBM市場でさらに遅れを取るのではないかという懸念を抱くかもしれません。
SamsungのHBMチップがNVIDIAの厳しい基準を満たすことができるかどうか、その行方に注目が集まっています。
詳細内容は、TrendForceが提供する元記事を参照してください。
【引用元】
【読み上げ】
VOICEVOX 四国めたん/No.7
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