【注目ニュース】サムスン電子 業界最大容量の高帯域幅メモリーを開発し上期量産を予定

発表日：2024年4月30日

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概要

サムスン電子は、人工知能（AI）用の超高性能DRAMである、12層から成る高帯域幅メモリー（HBM）「HBM3E 12H」の量産を今年の第2四半期（4月から6月）に開始すると発表しました。

同社は、HBM3Eの販売が年末までにHBM全体の3分の2を占めると予測しています。2024年にはHBMの供給量が前年比で少なくとも3倍に、そして2025年には少なくとも倍になる見通しです。また、同社は8層から成る「HBM3E 8H」の初期の量産を既に開始しています。

サムスン電子の2024年1st Quaterの決算資料（引用元）

解説

まず、高帯域幅メモリ（High Bandwidth Memory：HBM）は、プロセッサとメモリの間における単位時間あたりのデータ転送容量が多いDRAMのことです。