【A級アンプ Mini Aleph】 アンプのケースについて考える
パワーアンプ Mini Alephの続きです。
前回で電源の構成が決まりました。
今回は、アンプのケースについて考えてみます。
優先すべきは放熱
A級アンプなので発熱をヒートシンクでガンガン放熱できる事が最優先です。
必然的にヒートシンクのフィンは、縦向き且つ外向きとなります。
対流による放熱効果が最大となるようにする為です。
例えば、この投稿の元ネタであるPASSLABのALEPH3なんかは、ヒートシンクのオバケみたいで、ウニの様にフィンが四方に展開されています。凄い発熱なのでしょうね。
色々と考えて悩みましたが、最終的に1チャンネルにつき、2つのヒートシンクを使うこととしました。
つまり1枚のPCBが２つのヒートシンクに固定されることとなります。
MINI ALEPHは1チャンネル、つまりアンプ基板1枚につき、2つのFETがあります。
ヒートシンク１つに対して１つのFETが固定されるという事です。
FET1つにつき33cmx24cmのヒートシンク1つですから、放熱能力としては全く過剰でしょう。
以前の記事でも言及しましたが、これは将来的な変更を考慮したものです。
もう少しハイパワーの、例えばALEPH30とか、その他25W〜30Wクラスの別のアンプに入れ替えした時に対応できるキャパシティを持たせます。
実際のレイアウトを検証する
ヒートシンクの隙間にPCBを配置します。
そしてFETは、出力ボードに乗せてヒートシンクに固定し、空中配線で繋ぐこととしました。
空中配線はノイズを拾いやすくなるという事で、オーディオ的には敬遠されますが、今回はかなり短いので大丈夫でしょう。
FETには結構な量の電流が流れるので、そこそこ太い線が必要です。
加えて、配線を極力短くする為に10センチ程度に抑えました。
結果的に、取り回しが凄くやり難くなってしまいました。
組み上がってからアンプ基板にアクセスするには、その都度ヒートシンクからFETを外す必要があります。
整備性が極悪なアンプとなってしまいました。
しかもヒートシンクの間にはトランスや電源回路を置く隙間もありません。
そちらのスペースも追加で必要となりました。
(次回へ続く)