バイデン辞退
ASMLは中国に旧版の液浸露光装置を販売しつつ、他の主要半導体メーカーに新型EUVおよび液浸DUV装置を供給する戦略を取っています。以下に詳細をまとめました：
ASMLの戦略
中国への旧版液浸露光装置の販売:
ASMLは、米国の規制により最先端のEUV露光装置の中国への輸出が制限されているため、旧版の液浸露光装置を中国に販売しています1234。
TSMC
N2プロセス:
TSMCは2025年に2nmプロセス（N2）の生産を開始する予定であり、2024年には高NA EUVリソグラフィ装置を導入する計画です56。
Samsung
平沢P3, P4:
Samsungは平沢工場のP3ラインで最新のEUVプロセスを利用した半導体製造を進めており、P4ラインの建設も検討中です789。
SK Hynix
M16, M15X:
SK HynixはM16ラインでEUV露光装置を導入し、次世代DRAMの生産を進めています。M15Xラインでも同様の技術を採用する予定です10111213。
Intel
オレゴン工場のHigh-NA EUV:
Intelはオレゴン州の工場に2024年内に2台、2025年に3台のHigh-NA EUV露光装置を導入する計画です。これにより、14Aプロセスノードの実現を目指しています14151617。
このように、ASMLは各国の主要半導体メーカーに対して適切な技術を提供し、半導体製造の最前線を支えています。どの企業も次世代技術の導入に向けて積極的に動いており、今後の展開が非常に楽しみですね。
トヨタ会長の発言と背景
発言内容:
豊田章男会長は「日本から出ていけば大変になるが、今の日本はがんばろうという気になれない」と発言。
「ジャパンラブの私が日本脱出を考えているのは本当に危ない」とも述べた1。
背景:
型式指定の認証不正問題が発覚し、トヨタの3車種が8月末まで生産停止。
国土交通省による厳しい対応が続いている1。
国交省との対立
認証不正問題:
不適切な点が発覚したのは6項目のみで、これは「ミス」とも言える。
国交省が「不正」として大きく報道し、トヨタに対して厳しい姿勢を取っている1。
他社との比較:
同じく認証不正が発覚したマツダやヤマハ発動機は一部車種の生産再開が進んでいるが、トヨタは未だに再開のメドが立っていない1。
豊田会長の視点
日本の自動車産業への思い:
豊田会長は日本の自動車産業と国が一緒に日本を盛り上げるべきと考えている。
国交省の姿勢に対して失望している1。
米国との比較:
米国では政府と自動車メーカーが一体となって国益を追求するが、日本では自動車業界を敵視する姿勢が目立つ1。
日本経済への影響
トヨタの経済規模:
2024年3月期の営業利益は5兆3529億円、売上高は45兆円。
トヨタグループの従業員は約38万人1。
自動車産業の重要性:
日本の貿易収支において、自動車と自動車部品は輸出額全体の約2割を占める1。
海外移転の影響:
自動車産業が海外に移転すれば、日本経済が大きく傾く可能性がある。
ホンダは北米事業の比率が高いため、本社を北米に移しても大きな支障はないかもしれない1。
このように、トヨタ会長の発言は日本の自動車産業と国交省の関係に対する深い失望を表しています。
ユニクロの不調とその背景
売上の減少:
中国市場でユニクロの売上が落ちている。
デザインが頻繁に変わらないことが指摘されているが、価格が高いと感じられていることが主な原因1234。
中国人消費者の新たな傾向
OEM先の特定とノーブランド購入:
ユニクロのOEM先を特定し、同じクオリティのノーブランド商品を購入する動きがある。
例として、99元の餃子バッグがあり、タグから工場の名前と住所を特定し、SNSでハック術が公開されている。
国内用アリババ（1688）から直接仕入れ、半額以下で入手可能5678。
中国人消費者の消費傾向
デフレとコスパ重視:
ブランド信仰が強かった中国人もデフレの影響でコスパを重視するようになっている。
特に若い世代は、日本の消費スタイルに似てきている91011。
このように、ユニクロの不調は価格の高さと消費者の新たな購買行動に起因していると考えられます。特に若い世代の消費傾向変化していることが大きな要因です。
Fin型（FinFET）からGAA型（Gate-All-Around）への移行は、半導体トランジスタ技術の大きな進化を意味します。以下にその概要を説明します：
FinFET（Fin Field-Effect Transistor）
構造:
チャネル領域を魚の背びれ（Fin）のように立体的に立たせ、3方向をゲートで囲む構造。
2011年にIntelが22nmプロセスで初めて導入1。
特徴:
3次元構造により、チャネルを包み込むように制御。
微細化が進むと、オン/オフの切り替えが明確にできなくなる問題が発生2。
GAA（Gate-All-Around）
構造:
チャネルを4方向すべてからゲートで囲む構造。
ナノワイヤ（Nanowire）やナノシート（Nanosheet）を使用3。
特徴:
リーク電流を抑えることで、性能と効率が大幅に向上。
Samsungは3nmプロセスでGAA技術「MBCFET」を導入し、50%の省電力、30%の性能向上、45%の面積削減を実現4。
移行の背景
FinFETの限界:
5nm世代の半導体では、FinFETでも微細化の限界が見えてきた5。
リーク電流の増大が問題となり、さらなる微細化が難しくなった6。
GAAの利点:
チャネルを完全に包み込むことで、リーク電流を大幅に削減。
高性能化と低消費電力化を同時に実現できる。
このように、FinFETからGAAへの移行は、半導体の微細化と性能向上を続けるための重要なステップです。
バイデン辞退、カマラハリス？
米国商務省は、半導体の先端パッケージングに対する米国内での生産能力の確立を加速させるため、「国立先端パッケージング製造プログラム (National Advanced Packaging Manufacturing Program:NAPMP)」に最大16億ドル（約2,560億円）の資金提供を行うことを発表しました1。このプログラムは、以下の5つの分野の先端パッケージング製造に関連した研究開発および試作プロジェクトを公募するものです。
製造装置、ツール、プロセス、プロセス統合
電力供給と熱管理
フォトニクスと無線周波数 (RF) を含むコネクタ技術
チップレット・エコシステム
共同設計、電子設計自動化 (EDA)
助成対象となるプロジェクトは、各分野ともに複数の案件が選定される予定で、対象となったプロジェクトには1件当たり約1億5000万ドル（約240億円）が拠出されます。申請者は米国内に設立された米国の事業者であることが想定されており、非米国事業者が申請者のプロジェクトパートナーとして参加する場合は、当該海外パートナーの関与が不可欠であることを示す書面の提出が求められます。商務省は、先進的なパッケージングにおけるイノベーションを推進するため、各セクターにまたがるコンソーシアムでの応募を強く推奨しています1。
この取り組みは、米国内で質の高い雇用を創出し、先進的な半導体製造のリーダー国となるために不可欠な最先端の研究開発に投資するものであり、米国の半導体エコシステムを活気づける一環となっています。
導体業界における先端技術の動向について、以下のポイントが注目されています。
先端パッケージングへの投資:
米国商務省が「国立先端パッケージング製造プログラム (NAPMP)」を通じて、半導体先端パッケージングの研究開発プロジェクトに最大16億ドル（約2,560億円）の資金を提供しています。
このプログラムは、製造装置、ツール、プロセス、プロセス統合、電力供給と熱管理、フォトニクスと無線周波数 (RF) を含むコネクタ技術、チップレット・エコシステム、共同設計、電子設計自動化 (EDA) の分野での先端パッケージング製造に関連したプロジェクトを支援します。
2nm向け銅配線技術:
半導体プロセス技術は次第に微細化されており、2nmプロセスへの進化が進んでいます。このプロセスでは、銅配線の微細化が必要です。
銅配線の微細化には課題もあり、信号伝送の遅延や信頼性の問題が浮上しています。したがって、新たな材料や構造の研究が行われています。
これらの動向は、半導体産業の成長と技術革新に寄与しています。