米国商務省BIS ECCNの3-4桁目の定義の変更と規制品目追加・変更
米国商務省BISは、9月にECCNの3-4桁目の定義を変更しました。
9月5日の米国商務省BISのプレスリリースです。
従来、ECCNの3桁目は下記で定義されていました。
CISTECの教育資料によると4桁目は、「独自規制の識別」で９は米国独自規制、9以外は多国間規制としていました。
9月6日から次のように3桁目から5桁までをセットにした記載になり、
900版台が3つに分かれ、今回の同志国協調は900-979に割り当てられました。
それらの国については、新たな許可例外「許可例外適用輸出管理（IEC：License Exception Implemented Export Controls）」が設けられました。
適用できる品目、輸出国のリストがBISに掲載されています。HERE
ところで、許可例外IECが認められる国にオランダは入っていません。
上はオランダの半導体製造装置規制強化の9月初めの記事で、このときオランダは800版台を使っていました。
米国ECCNでは800版台は未使用のままです。
先日、EUが今年度の規制品目の改正を行いました。
米国の規制品目改正は、国際協調ではないので、EUの規制品目リストには掲載されていません。
EUは3桁目は変わらず0、1、2、3しかありません。
米国の規制品目の追加・変更について、オランダ、EU、日本と比較してみました。
相補型金属酸化膜半導体集積回路
日本
輸出令別表第1 7の項（1） 集積回路
貨物等省令 6条1号カ
相補型金属酸化膜半導体集積回路であって、零下二六八・六五度以下の温度で作動するように設計したもの（ロに該当するものを除く。）
米国
3A901 Electronic items, not specified by ECCN 3A001, as follows (see List of Items Controlled).
a. Complementary Metal Oxide Semiconductor (CMOS) integrated circuits, not specified by 3A001.a.2, designed to operate at an ambient temperature equal to or less (better) than 4.5 K (−268.65 °C).
オランダ
なし
EU（2024年12月施行版）
なし
露光装置
日本
輸出令別表第1 7の項（17） 半導体製造装置など
貨物等省令 6条17号ヲ
ウエハーの処理のためのステップアンドリピート方式又はステップアンドスキャン方式の露光装置であって、光学方式のものであり、かつ、光源の波長が一九三ナノメートル以上のもののうち、次の（一）及び（二）に該当するもの（ヘ（一）２に該当するものを除く。）
（一） ナノメートルで表した光源の波長に〇・二五を乗じて得た数値を開口数の値で除して得た数値が四五以下のもの
（二） 同一装置による重ね合わせ精度の最大値が二・四ナノメートル以下のもの
米国
3B001 Equipment for the manufacturing of semiconductor devices, materials, or related equipment, as follows (see List of Items Controlled) and “specially designed” “components” and “accessories” therefor.
f. Lithography equipment as follows:
f.1. Align and expose step and repeat (direct step on wafer) or step and scan (scanner) equipment for wafer processing using photo-optical or X-ray methods and having any of the following:
f.1.a. A light source wavelength shorter than 193 nm; or
f.1.b. A light source wavelength equal to or longer than 193 nm and having all of the following:
f.1.b.1. The capability to produce a pattern with a “Minimum Resolvable Feature size” (MRF) of 45 nm or less; and
f.1.b.2. Having any of the following:
f.1.b.2.a. A maximum `dedicated chuck overlay' value of less than or equal to 1.50 nm; or
f.1.b.2.b. A maximum `dedicated chuck overlay' value greater than 1.50 nm but less than or equal to 2.40 nm;
オランダ
3B801.f.6
Lithografische apparatuur, als hieronder:
Repeteerapparatuur (‹step and repeat› (‹direct step on wafer›) apparatuur of ‹step and scan› (scanner) apparatuur) voor uitrichten en belichten ten behoeve van het bewerken van wafers, waarbij gebruik wordt gemaakt van foto-optische of röntgenmethoden, met alle van de volgende eigenschappen:
a. een golflengte van de lichtbron gelijk aan of groter dan 193 nm;
b. in staat om patronen te produceren met een ‹minimum resolvable feature size› (MRF) van 45 nm of minder; en
c. een maximale ‹dedicated chuck overlay› (DCO) waarde hoger dan 1.50 nm en kleiner dan of gelijk aan 2.40 nm.
EU（2024年12月施行版）
なし
走査型電子顕微鏡
日本
輸出令別表第1 7の項（17） 半導体製造装置など
貨物等省令 6条17号の4
半導体素子又は集積回路の画像を取得するために設計した走査型電子顕微鏡であって、次のイからトまでの全てに該当するもの（国際半導体製造装置材料協会が定めたＳＥＭＩ規格に準拠したウエハーの搬送・保管容器（二〇〇ミリメートル以上のフロント・オープニング・ユニファイド・ポッド（ＦＯ
ＵＰ）を含む。）用にウエハー搬入部を設計したものを除く。）
イ ステージの位置決め精度が三〇ナノメートル未満のもの
ロ レーザー干渉計によるステージ位置計測が可能なもの
ハ レーザー干渉計による長さスケール計測に基づく視野の位置校正が可能なもの
ニ 画素数が二〇〇、〇〇〇、〇〇〇を超える画像の収集及び保存が可能なもの
ホ 画像を取得する際の視野の重なりが垂直方向及び水平方向で五パーセント未満のもの
ヘ 画像を結合する際の視野の重なりが五〇ナノメートル未満のもの
ト 加速電圧が二一キロボルトを超えるもの
米国
3B903 Scanning Electron Microscope (SEM) equipment designed for imaging semiconductor devices or integrated circuits, having all of the following (See List of Items Controlled).
a. Stage placement accuracy less (better) than 30 nm;
b. Stage positioning measurement performed using laser interferometry;
c. Position calibration within a field-of-view (FOV) based on laser interferometer length-scale measurement;
d. Collection and storage of images having more than 2 x 10^8 pixels;
e. FOV overlap of less than 5 percent in vertical and horizontal directions;
f. Stitching overlap of FOV less than 50 nm; and
g. Accelerating voltage more than 21 kV.
オランダ
なし
EU（2024年12月施行版）
なし
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