🟦インフィニオン、世界初の300mmパワーGaN技術を発表

インフィニオンが世界初の300mmパワー窒化ガリウム（GaN）技術を発表しました。

Infineon pioneers world’s first 300 mm power gallium nitride (GaN) technology – an industry game-changer - Infineon Technologies

🟦インフィニオン、世界初の300mmパワーGaN技術の登場

　インフィニオンは、画期的な300mmパワーGaN技術を発表しました。従来の200mmウエハーに比べ、300mmウエハーは一度に2.3倍のチップを製造できるため、技術的な効率が大幅に向上しています。これにより、AIシステム用電源や太陽光インバーター、充電器、モーター制御システムなど、多岐にわたる産業・民生アプリケーションにおいてGaNベースの半導体の普及が加速する見通しです。特に、小型化、軽量化、コスト削減といった要素が強化され、最終顧客のニーズに対応できる新しい価値提案が実現されます。

🟦300mm GaN技術がもたらすメリットと背景

　300mmウエハー技術は、シリコン製造の既存インフラを活用することで、GaN製造の資本効率を最大化しています。この技術の進化により、従来のGaN製造プロセスに比べ、より安定した供給とコストの低減が期待されています。インフィニオンのフィラッハ工場では、この300mm製造技術が既存の300mmシリコン製造に統合され、効率的な量産体制が構築されています。これにより、GaN半導体の成長市場を牽引するだけでなく、シリコンと同等のコスト効率を達成する可能性も高まっています。

🟦まとめ

インフィニオンは、世界初の300mmパワーGaN技術を開発し、半導体業界に新たな革命を起こそうとしています。これにより、効率の向上とコスト削減が実現され、GaNベースのパワー半導体の市場拡大が加速することが期待されています。

　300mm GaN技術の導入により、パワー半導体市場での競争はさらに激化するでしょう。インフィニオンはSiCの投資が遅れていたものの、GaNには積極的に取り組んでいる姿勢が伺えます。