🟦産総研と米インテルが共同でEUV装置導入へ
🟦産総研と米インテルが共同で国内初EUV装置導入へ
産業技術総合研究所(産総研)は、国内初となる極端紫外線(EUV)露光装置を導入し、最先端の半導体研究開発拠点を設立することを発表しました。このプロジェクトには、米インテルや国内外の製造装置・素材メーカーが参加し、2027年の稼働を目指しています。EUV装置は、回路線幅が5nm(ナノメートル)以下の最先端半導体製造に不可欠な装置であり、日本の研究機関が所有するのはこれが初めてとなります。
さらに、産総研は「半導体ファブ構想」を掲げ、自動車産業との協業や少量生産モデルを通じて、車載半導体など特定のニーズに応える体制を整備します。
🟦 EUV導入の背景と経済安全保障の重要性
今回のEUV導入計画の背景には、米中対立をはじめとする国際情勢が深く関わっています。米国は中国へのEUV装置輸出を規制しており、海外の研究データや成果を日本国内に移転する際の手続きが複雑化しています。そのため、日本国内での最先端技術の独自開発が求められる状況です。
また、EUV装置は1台で400億円以上の高額な設備であり、多くの企業にとって独自購入が困難です。産総研がこれを導入することで、製造装置や素材メーカーが利用料を支払って研究開発を進める新しい仕組みが可能となります。このように、国内研究拠点を活用した技術開発は、日本の経済安全保障にとって極めて重要です。
🟦 まとめ
日本でのEUV導入は、政府の補助金による支援が大きなきっかけとなり、マイクロン広島やラピタスといった企業で進展していますね。今後は、日本独自の最先端プロセスを活かした新たなサービスや製品を生み出す取り組みが、さらに重要になりそうですね。
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