🟦米オンセミ SiC JFET技術をQorvoから取得！
オンセミがQorvoからSiC JFET技術を取得し、次世代AIデータセンターや電気自動車市場での革新を目指します。
🟦米オンセミ SiC JFET技術をQorvoから取得！エネルギー効率と電力密度向上へ
オンセミは、米国の半導体メーカーQorvo(クォルボ)のSiC JFET事業を1億1,500万ドル（約173億円）で取得する契約を締結しました。この買収により、オンセミの「EliteSiC」シリーズがさらに強化され、AIデータセンターではAC/DC変換の効率化、電気自動車（EV）ではバッテリー遮断機能やソリッドステートサーキットブレーカー（SSCB）の新しい市場ニーズに応えることが可能となります。
Qorvo(クォルボ)のSiC JFET事業
Qorvoは、通信技術や無線周波数（RF）技術で知られる米国の半導体メーカーで、特に5GやIoT分野において強い影響力を持つ企業です。同社の子会社であるUnited Silicon Carbide（USCi）は、SiC技術の専門企業として、電力効率化を目指した製品を開発してきました。
🟦 なぜSiC JFET技術が注目されるのか
AIの作業負荷が複雑化し、エネルギー消費が増える中、エネルギー効率と高電圧対応技術の重要性が高まっています。SiC JFETは、効率向上や設計の簡略化、コスト削減に寄与し、電源設計者やデータセンター事業者にとって魅力的な技術です。
SiC JFETとは？
SiC JFET（シリコンカーバイド接合型電界効果トランジスタ）は、炭化ケイ素（SiC）を用いた高性能トランジスタです。高い耐圧性、電力密度、エネルギー効率を備え、低オン抵抗と高信頼性でエネルギー消費やシステムコストの削減に貢献します。
🟦 まとめ
オンセミがQorvoから取得したSiC JFET技術は、AIデータセンターや電気自動車市場の発展に大きな影響を与えると期待されています。エネルギー効率の向上とコスト削減を可能にするこの技術は、次世代市場での競争力を大幅に高めるでしょう。
AI半導体の価格上昇により、データセンターの電源回路のコスト比重が相対的に低くなっています。その結果、SiC JFETのように高性能デバイスの採用が以前より容易になり、性能重視の選択が進んでいるように感じますね。
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