3種のパワー半導体のターン速度を測ってみた
今回は違う材料の3種のパワー半導体を使ってターン速度を測りそして比較してみます
まずは最もよく使われている
Si (ケイ素) シリコン
最近使われるようになった
SiC (炭化ケイ素) シリコンカーバイド
USB充電器で大いに活躍している
GaN (窒化ガリウム) ガリウムナイトライド
この三つです
～ターン速度～
ターンオンするまでの速度が遅いです…
これではスイッチング損失が多いですね
Si-MOSFETのゲート電圧は4.5V
さっきのシリコンよりかは速いですね
SiC-MOSFETのゲート電圧は4.6V
？？？？？？？？？？？？？？？
はやくね？？？？
ちなみにこれだけゲート電圧2.7Vでした
※ゲート電圧が低いから速いという訳ではなさそう
ここまで明確に違うんですねー