3種のパワー半導体のターン速度を測ってみた

今回は違う材料の3種のパワー半導体を使ってターン速度を測りそして比較してみます

まずは最もよく使われている
Si (ケイ素) シリコン

最近使われるようになった
SiC (炭化ケイ素) シリコンカーバイド

USB充電器で大いに活躍している
GaN (窒化ガリウム) ガリウムナイトライド

この三つです

～ターン速度～

シリコン

ターンオンするまでの速度が遅いです…
これではスイッチング損失が多いですね
Si-MOSFETのゲート電圧は4.5V

炭化ケイ素

さっきのシリコンよりかは速いですね

SiC-MOSFETのゲート電圧は4.6V

窒化ガリウム

？？？？？？？？？？？？？？？
はやくね？？？？
ちなみにこれだけゲート電圧2.7Vでした

※ゲート電圧が低いから速いという訳ではなさそう

ここまで明確に違うんですねー