【基礎用語解説】バックグラインド
プロービングを経て良品であることが判明したICチップを裏面側から削って所定の厚さまで薄くする工程です。
前工程においては高温、高圧での熱処理や搬送が行われることから、外形的形状を維持するためにある程度の機械的強度が必要となります。このことからウェハー厚さは、300 mmウェハーでは775 μm、200 mmウェハーでは725 μmとパッケージには不要なほどに厚くなっています。
最終製品のサイズを小さくすることから逆算すると、パッケージするには薄い方が有利であるために、前工程とプロービングよる検査を終えたウェハーは、100~200 μｍ程度まで薄くされます。
ダイヤモンド粒子を含んだ回転する円盤をウェハー裏面に押し付けることで徐々に削っていく方法が一般的です。この時、目の粗い砥石で研削したあとに、目の細かい砥石で仕上げ加工する二段階の加工がおこなわれます。
この時、ウェハー表面には集積回路が形成されているので慎重に扱わなければ不良品になってしまいます。そこでウェハー表面にはPRTやポリオレフィンを材料とした保護テープが張った状態で研削が行われます。
研削後の表面には1 μm程度のダメージ層が形成されているため、さらに目の細かい砥石で最終仕上げを行うか、薬液に付けてウェットな環境で化学的に平滑面に加工を行います。
参考文献
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