東ソー、GaNスパッタリングターゲット材を製造開始：注目ニュース✨
発表日：2024年10月29日
東ソーは、半導体産業に革新をもたらす新製品として、窒化ガリウム（GaN）スパッタリングターゲット材の製造を子会社の東ソー・スペシャリティマテリアルにて開始しました。この製品開発は、半導体製造における低コスト化への重要な一歩になる可能性があります。
製品概要と市場動向
GaNは次世代の半導体材料として高い注目を集めており、LED照明や小型急速充電器部品として既に実用化されています。
さらに、データセンター向けパワー半導体やウエアラブルディスプレイ向けマイクロLEDなど、新たな用途での市場拡大が期待されています。従来の材料と比較して、エネルギー損失が少なく、高い省エネ効果を実現できることが最大の特徴です。
技術的革新
GaN製造では、これまでCVD法（気相成長法）が主流でしたが、設備投資や材料調達にかかるコストが大きな課題となっていました。
東ソーは、この課題を解決するため、独自の合成・焼結技術を駆使して高純度なGaNターゲット材の開発に成功しました。新開発された製品は、CVD法と同等の高結晶性GaN成膜を実現しながら、製造コストを大幅に削減することが可能とのことです。
事業展開の現状と将来性
現在、この革新的な技術は装置メーカーによる評価が進められており、学術研究機関からも高い関心が寄せられています。
2024年8月の製造設備完工を経て、同年9月からの商業運転開始を予定しています。東ソーは、この新技術を通じて半導体製造の低コスト化と省エネルギー化に貢献し、成長市場でのシェア拡大を目指しています。
まとめ
東ソーが新しい半導体材料「GaNスパッタリングターゲット材」の製造を開始
従来のCVD法より製造コストを大幅に削減しながら、同等の品質を実現
LED照明やデータセンター向け半導体などでの活用が期待される
2024年9月から山形県で商業生産を開始予定
半導体産業の低コスト化と省エネ化に貢献
#GaNスパッタリング #半導体製造 #東ソー #省エネ技術 #技術革新
専門用語解説
GaN（窒化ガリウム）：高効率・省エネ特性を持つ半導体薄膜材料
スパッタリング法：真空中でプラズマを利用して薄膜を形成する革新的な成膜技術。従来のCVD法は、原料ガスと基板表面の化学反応を利用する方法。
ターゲット材：スパッタリング法における材料源として使用。
マイクロLED：高精細ディスプレイに使用される極小サイズのLEDデバイス
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参考文献
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