第1種放射線取扱主任者試験対策講義〜実務①〜
今回は令和5年度実務の問1を見ていくよ。旧管理測定技術の頃からお馴染みの長文問題だね。
ここでのテーマは…「表面汚染密度測定」かなぁ。
表面汚染密度の測定法には、大きく分けたら例えばGM管式サーベイメータみたいな放射線検出器を直接汚染部位に近付けて測定することで遊離性汚染も固着性汚染も測定できる直接測定法と、汚染部位をろ紙等で拭き取って、拭き取った放射性同位元素による線量を放射線検出器で測定するスミア法によって間接的に遊離性汚染の測定を行う間接測定法の2つに分けられてね。間接測定法では固着性汚染の測定が困難な点がデメリットとして挙げられそう。
Aは4.(固着性)、Bは3.(遊離性)だね♪
C.の時定数についてはこれは知識として覚えてもいいんだけど、高校物理が得意な人は導出過程も頭に入れておいた方がいいかなぁ。Cは1.(RC)だよ♪
導出過程はこんな感じかな。Vは電源電圧[V]、iは回路内の電流[A]、Rは電気抵抗[Ω]、q[C]はコンデンサ内の電荷の絶対値、Cは静電容量[F]だね。q=CV(1-e^-1)、つまりコンデンサ内の電荷が電圧印加直後(t=0)の電荷の63%にまで回復する時刻を時定数って定義するんだ～。
(正解)
A. 4(固着性) B.3(遊離性)
C. 1(RC)
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