新型EUV露光技術
今回発表した新型EUVリソグラフィは、わずか20Wの 小型EUV光源で動作するため、消費電力が100kW以下と10分の1となる。
極端紫外線リソグラフィ(EUVL)
EUVLは、2018年から実用化されている露光技術であり、7 nm以下の露光に使用するために導入されている。
1984年に設立されたオランダのASML社は、極端紫外線の露光装置を作っている唯一のメーカーである。
ArF液浸技術
加工するシリコンウエハを純水の中に沈めて、そこに光を当てる液浸リソグラフィーのアイデアは、1984年に高梨らによって特許を取得。
2007年に、ArF液浸技術によって50nm相当の描画を実現。(NEC)
新型EUV露光技術
理論上の解像度限界は24nm（20mm視野）、画像縮小係数は5倍、物体画像距離（OID）は2000mmです。曲面マスクを使用すると、ツールの高さを（OID）1500mmまで下げることができ、解像度16nm（10mm視野）が得られます。モバイルアプリケーション用の小型ダイサイズチップ製造や最新のチップレット技術に適しています。
arXiv
沖縄科学技術大学院大学・新竹教授
新竹積（しんたけ・つもる）
沖縄科学技術大学院大学量子波光学顕微鏡ユニット教授。
1955年、宮崎県生まれ。
2011年から沖縄科学技術大学院大学で、ホログラフィーによる量子波光学顕微鏡、波力発電装置などの研究を進めている。
ミラツク