半導体製造工程、露光レジストに上部から紫外線やX線を照射します。
ナノルール（先端半導体）の半導体の製造工程では、EUV露光装置が用いられる。EUV露光とは、波長が13.5nmの極端紫外線（Extreme Ultraviolet：EUV）を用いた半導体露光技術のこと。
EUVの波長は軟X線の一部であるが、新たに研究補助を申請する際には 「X線」という名称が使えなかったので改めて「EUV」の名称で研究開発資金の援助を申請したので、呼称が「EUV」に変更されたとされる。
X線は波長が非常に短い電磁波の一種です。その中でもエネルギーの低い透過力の弱いX線を軟X線といいます。
早い話が、我々が聞きなれた言葉で言えば、X線の範疇なのである。
「軟Ｘ線は透過力が小さく、物質内で吸収される割合が大きいので人体には
有害」
なのです。
我々が考えておくべきことは、
『いい事づくめのように言われる半導体工場の誘致合戦』
金を湯水のようにつぎ込んだ挙句が、製造工程におけるX線の健康被害を産んだり、半導体洗浄水による排水汚染など、
★冷静に評価を重ねて半導体工場の負の側面も明らかにする
ことが、国民に対する政治の重大な義務であることを忘れてはならない。
一部の国では、上記のような健康被害が深刻になりつあることが報告されている。