TSMC、2nm世代の圧倒的進化！ 半導体業界の競争激化と未来の展望
概要
台湾積体電路製造（TSMC）は、国際学会「IEDM 2024」にて 2nm世代の半導体技術 に関する論文を発表し、2025年下期（7〜12月）に量産開始 予定であることを明らかにした。
2nm世代では FinFET から GAA（Gate-All-Around）ナノシート へ移行し、動作速度が3nm比で15％向上、消費電力が35％削減 されるとされている。
また、技術の指標となる SRAM部の歩留まりが最大90%と高い ことも報告された。
TSMCの発表は、 インテルに代わり半導体微細化技術を牽引する役割 を確立したことを示し、Samsungを含む競争相手との差をさらに広げるものと考えられる。
技術のポイント
GAAナノシート導入
3nm世代までの FinFET から GAAナノシート に移行
動作速度が 15％向上、消費電力が 35％低減
トランジスタ密度が3nm比で15％増加
SRAMの改善と歩留まりの高さ
256MビットSRAMマクロの歩留まりが最大90％
冗長回路を使えば100％近く達成可能
ただし、SRAMセル面積の縮小が停滞傾向にあり、2nm世代では 3nmより大きくなった可能性
裏面電源供給（BSPDN）の導入は次世代へ
2nm世代では BSPDNは採用せず
次の「A16」世代で導入予定
次世代技術CFETの進展
GAAの次世代技術であるCFETの試作品発表
IntelやRapidusも技術開発を発表
量産は2029年の1nm世代 を想定
今後の半導体業界への影響
① TSMCの技術的リード強化
TSMCが最先端の半導体製造をリード
10nm世代までは Intelが主導 していたが、5nm世代以降はTSMCが牽引
2nm世代でも Intelの技術発表はなく、TSMCが先行
GAA技術の採用でSamsungとの差別化
Samsungは3nm世代でGAAを導入したが、歩留まりの低さが課題
TSMCは2nmで高い歩留まりを実現し、市場で優位性を確保
② AI・HPC向け半導体の性能向上
2nm世代の技術はAI・HPC（高性能コンピューティング）に最適
動作速度の向上 & 消費電力削減 により、AIチップの高性能化が可能
NVIDIA・AMD・Appleなど、AI向けプロセッサの需要増加が見込まれる
③ 半導体市場の競争激化
TSMC vs. Intel vs. Samsungの競争がさらに激化
Intelは GAA技術の微細化 を発表したが、TSMCとの差は大きい
Samsungは歩留まりの改善が課題
RapidusもIBMと連携し開発を発表
日本発の先端ロジック半導体製造の成否が問われる
2027年量産予定の「1.4nm」プロセスが市場で評価されるかが鍵
④ 投資動向と市場の影響
TSMCの技術進展により、半導体セクターの投資が加速
NVIDIA、AMD、Apple、Qualcommなどの半導体設計企業がTSMCの2nmプロセスを活用
IntelやSamsungも先端技術の開発競争を加速させる可能性
Rapidusの台頭と政府支援
日本政府の支援を受けたRapidusが2027年の量産を目指す
TSMCに対抗する技術力を確保できるかが今後の焦点
結論
TSMCが2nm世代技術で 高い歩留まりと性能向上を実現 したことは、半導体業界全体に大きな影響を与える。
今後のポイントは、
TSMCがIntelやSamsungとの競争をどう優位に進めるか
AI・HPC向けの需要増加にどう対応するか
Rapidusが2027年にどの程度TSMCに対抗できるか
となる。
短期的には TSMC関連の企業（NVIDIA・AMDなど）が恩恵を受ける 可能性が高いが、長期的には IntelやRapidusの動向にも注視 する必要がある。