LTC6090-LT1166の位相補償

LTC6090で電流源駆動のMOSFETアンプをLT1166で構成する場合を例にして、位相補償をまとめておきます。
回路図はこちらです。

LTC6090-LT1166-IRF530/9530

LT1166のデータシートから図を引用します。

LT1166の入力段によるゲート駆動

設計としては、Vin=LTC6090の出力, Rin=4.7kΩ, Cext1=Cext2=100pF, Rt=Rb=電流源(TTA004B/TTC004B), M1=IRF530, M2=IRF9530としています。

周波数補償および安定性

入力相互コンダクタンスは入力抵抗RINと32:1電流ミ
ラーQ3/Q4およびQ5/Q6によって設定されます。抵抗R1
およびR2はRINの値と比較して小さくなります。RINの
電流はQ4またはQ6の電流の32倍になり、外部補償コン
デンサCEXT1とCEXT2をドライブします。これら2つの入
力信号経路が並列になって、下記の相互コンダクタンス
を与えます。
gm＝16/RIN
利得バンド幅は以下のとおりです。
　GBW = 16/2pi(RIN)(CEXT)
出力デバイスの速度に応じて、標準値はRIN＝4.3k､
CEXT1＝CEXT2＝500pFであり、1.2MHzの－3dBバンド幅
が得られます（標準性能特性曲線を参照）。

LT1166データシートより

また、LT1166の特性としては、
gm=16/4.7=3.4S
GBW=16/(2*3.14*4.7*100)=5.4MHz
となります。