LT1166によるブートストラップ準コンプリメンタリAB級MOSFETアンプの基板設計

久しぶりにEagleでどっぷりアートワークしました。
出発点はLT1166のデータシートにある「100Wオーディオ・パワー・アンプ」の回路です。

オリジナルの回路は電流源駆動によるコンプリメンタリMOSFETの出力段(IRF530, IRF9530)ですが、こちらはダーリントン(TTC004B, TTA004B)駆動による準コンプリメンタリMOSFET出力段(IRF530, IRF530など)です。

やっつけで試作した基板が、低音でビビりがでる（おそらく、出力段の下側のMOSFETの配線をむりやりスズメッキ線でドレインとソースをクロスして空中配線になっているため）ので、まじめに再設計してみました。

出力段はTO-220, TO-247どちらも使えるようにしています。

PCB上面

PCB上面、右上は+48V, 右下は-48V, 左上は+15V, 左下は-15Vの電源プレーンです

PCB下面

PCB下面、右側は0V, 左上は出力(ブートストラップ電位, 20-20kHz, +-35V), 左下は入力のSGNDのプレーンです。

基板上、一番高価な部品は絶縁型DC/DCコンバータ(DCin:+48V, 0V, DCout: +15V, Bootstrap, -15V)になります。絶縁型（入力と出力の基準電位を切り離せる）なので、ブートストラップできるわけです。

なので、オペアンプやバイアスコントローラは出力電位の上を滑るように動作しています。

一方、差動信号の入力に対して、ブートストラップ電位は同相電圧として、入力段の差動増幅回路の入力抵抗で吸収している形で動作しています。

数年前にこの回路を見たときは、動作がイメージできませんでしたが、いろいろやっているうちに理解が進みました。

差動増幅回路はいろいろな応用ができるので、理解したい回路です。