MOSFETのトランスコンダクタンスをLTspiceで求める方法
データシートのグラフからでは対数目盛やスケールの関係でId=100mAのgfs(Forward Transconductance)が読み取れないので、LTspiceのモデルから求める方法をまとめておきます。
方法としては単純で、MOSFETにVds(48V)とVgs(.dc Vth, Vth+1)としてIdをプロットして、カーソル1をId=100mA, カーソル2をId =200mAとして、Slope(d(Id)/d(Vgs))を直読するというものです。
この方法によるいくつかのMOSFETのVds=48V, Id=0.1Aでのgfs(S)をまとめておきます。
IRFP240: 1.3
IRF530: 1.8
IRF200B211: 2.4
IPP129N10: 5.5
トランスコンダクタンス(gfs=gm=内部抵抗の逆数)はAB級アンプのクロスオーバー歪と関係していて、一般的にはBJT(gm=4程度)の方がMOSFETよりも有利とされています。
というわけで、準コンプリメンタリMOSFETの構成は、コンプリメンタリMOSFETの構成よりも、gmのマッチングとトランスコンダクタンスに起因するクロスオーバー歪の点では有利になります。
また、最新のMOSFET(IPP129N10など)では、Ciss=1300pF程度でgmもBJTにひけを取らないものが出てきています。
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