米紙が指摘「「半導体産業を復活させなければ、日本は敗者になる」
米紙が指摘「「半導体産業を復活させなければ、日本は敗者になる」
日本政府は「失われた30年」からの脱却を目指し、約4兆円を投入して産業政策を推進しています。この政策の一環として、特に半導体産業の復活に力を入れています
半導体産業の復活の鍵:
政府の支援:
日本政府は、半導体産業の基盤強化と技術革新を支援するために大規模な投資を行っています。これには、先端半導体製造技術の共同開発やファウンドリの国内立地が含まれます
国際協力:
日本の新興半導体メーカー「ラピダス」と米国のテック大手「IBM」が協業し、2ナノメートルノード半導体の量産技術を開発しています。この協力により、日本の半導体技術が世界トップレベルに引き上げられることが期待されています
技術革新:
ラピダスは、IBMの先進的な半導体研究開発力を活用し、2ナノメートルノード技術の開発を推進しています。この技術は、現在最も先進的な7ナノメートルチップに比べて45%の性能向上、または75%のエネルギー効率向上が見込まれています
これらの取り組みにより、日本の半導体産業は再び世界の舞台で重要な役割を果たすことが期待されています
中国は、経済の拡大と製造業のグリーン化を推進するために公的支援を行い、成功を収めています。特に「製造業のグリーン成長推進加速に関する指導意見」などの政策を通じて、産業構造のハイエンド化、エネルギー消費の低炭素化、循環型資源利用への転換を進めています。これにより、中国は国際的な競争力を高め、他国からの注目を集めています。
このような中国の台頭を目の当たりにした他国は、自国産業の育成と保護に向けた政策を強化しています。例えば、日本も半導体産業の復活を目指し、約4兆円を投入して産業政策を推進しています
40年前、日本も同様の状況にありました。当時、日本は急速な経済成長を遂げ、アジアの経済大国として台頭していました。このため、他の自由市場経済圏の大国は、日本との競争に対する不安から政府による介入を強化しました5。この歴史的背景は、現在の中国の台頭と類似しており、経済大国間の競争が繰り返されていることがわかります。
1990年の調査では、米国人の約3分の2が、日本の対米投資が米国の経済的自立を脅かすと感じていました1。その頃、日本の不動産バブルと株式バブルが崩壊し、長期の不況に突入しました。この「失われた30年」と呼ばれる低迷期を経て、日本政府は経済の活性化と技術革新を目指し、数十億ドル規模の産業政策を推進しています
現在、日本は米国をはじめとする諸外国のテック企業と協力し、産業政策を進めています。この協業的アプローチは、数十年前には考えられなかったものです
一方で、日本企業による米鉄鋼大手の買収をめぐり、米政界では反発が強まっています。米国は国内産業を外国の影響から守ろうとする動きを強めており、日本製鉄によるUSスチールの買収計画に対しても厳しい目が向けられています
補足1
日本の新興半導体メーカー「ラピダス」と米国のテック大手「IBM」が協業し、2ナノメートルノード半導体の量産技術を開発しています。この協力により、日本の半導体技術が世界トップレベルに引き上げられることが期待されています 日本の新興半導体メーカーRapidusと米IBMの協業は、日本の半導体産業に大きな変革をもたらす可能性を秘めています。この戦略的パートナーシップの主要な側面と意義について詳しく見ていきましょう。
## 協業の概要
RapidusとIBMは2nmノード技術の共同開発に向けたパートナーシップを締結しました。この提携の主な目的は以下の通りです:
- IBMの最先端2nmプロセス技術を日本に導入すること
- 2020年代後半までに日本国内でRapidusが2nm半導体の量産を開始すること
## 技術的意義
IBMの2nmノード技術は非常に先進的で、以下のような利点があります:
- 現行の7nmチップと比較して45%の性能向上
- 同等性能で75%のエネルギー効率向上
この技術は次世代トランジスタ技術である「Nanosheet(ナノシート)」を採用しており、あらゆる電子機器やコンピュータに影響を与える可能性があります
## 戦略的重要性
この協業には、単なる技術開発以上の戦略的意義があります:
1. **サプライチェーンの強化**: 現在、5nm以下のプロセスにおいて日米両国とも生産能力がゼロであり、この協業によってサプライチェーンの地政学的リスクを軽減できます
2. **国際競争力の向上**: RapidusはTSMC、サムスン電子、インテルなどの業界大手と競合する準備を進めています
3. **日本の半導体産業の復活**: この取り組みは、日本を半導体の研究、開発、製造における世界的リーダーに押し上げることを目指しています
## 今後の展望
RapidusとIBMの協業は、単に2nmノード技術の開発にとどまりません:
- 2025年までに北海道にIIM-1ファブを建設し、2nmウェーハー製造施設を立ち上げる計画です[3]。
- チップレットパッケージング技術の共同開発にも拡大しており、これは2nm世代半導体の進化に不可欠なステップです
## 結論
RapidusとIBMの協業は、日本の半導体産業を世界トップレベルに引き上げる大きな可能性を秘めています。技術革新、国際競争力の向上、サプライチェーンの強化など、多面的な効果が期待されます。この取り組みが成功すれば、日本は再び半導体産業のリーダーとしての地位を確立し、グローバルな技術革新に大きく貢献することができるでしょう。
補足2
次世代トランジスタ技術である「Nanosheet(ナノシート)」について教えて
「ナノシート（Nanosheet）」は、次世代の半導体トランジスタ技術であり、特に5nmプロセス以降の技術として注目されています。この技術は、従来のFinFET（フィン型電界効果トランジスタ）を進化させたもので、以下のような特徴があります
ナノシート技術の特徴
ゲート・オール・アラウンド（GAA）構造:
ナノシートは、チャネルを360度全方向からゲートで囲む「ゲート・オール・アラウンド（GAA）」構造を採用しています。これにより、リーク電流を抑制し、トランジスタの駆動能力を向上させることができます
高い性能と効率:
ナノシート技術は、FinFETに比べて実効チャネル幅が広くなるため、同じフットプリントでより高い性能を発揮します。また、エネルギー効率も向上し、低消費電力で動作することが可能です
製造の容易さ:
ナノシートは、水平に薄いシートを積層する構造であり、製造プロセスが比較的簡単です。これにより、ばらつきを抑えた高品質なトランジスタを製造することができます
ナノシート技術の応用
IBMとSamsungの取り組み:
IBMとSamsungは、ナノシート技術を用いた2nmプロセスの半導体チップを開発しています。このチップは、従来の7nmチップに比べて45%の性能向上と75%のエネルギー消費削減が見込まれています
次世代デバイス:
ナノシート技術は、スマートフォン、データセンター、自動運転車など、さまざまな次世代デバイスに応用される予定です。これにより、デバイスの性能向上とエネルギー効率の改善が期待されています
ナノシート技術は、半導体業界における次世代の標準技術として、今後ますます重要な役割を果たすことが期待されています