またまた暴落‼️下落は終わらない

ソラナが対イーサリアムで史上最高値を更新──ビットコインより回復が早い

ソラナ（SOL）の最近のパフォーマンスについて詳しく説明しますね。
ソラナの急上昇
ソラナは最近、イーサリアム（ETH）に対して急上昇し、SOL/ETHの比率が史上最高値の0.062に達しました。過去24時間で7.5%、過去1週間で13.6%上昇しています1。この上昇は、ソラナの強力なファンダメンタルズに支えられています。
イーサリアムの現状
一方、イーサリアムはビットコイン（BTC）に対して3年ぶりの安値に沈んでいます1。米証券取引委員会（SEC）が5月にイーサリアム現物ETFを承認する意向を示したことが市場を驚かせましたが、その後の相対的上昇は帳消しになり、さらに下落しています。
市場の混乱とソラナのパフォーマンス
週末に起きた市場の混乱を含む1週間のスパンで見ると、ソラナは暗号資産市場のベンチマークであるCoinDesk 20 Index（CD20）を構成する主要暗号資産の中で最もパフォーマンスが良く、約11%の下落にとどまりました。一方、ビットコインとイーサリアムはそれぞれ14%、25%下落しました
ソラナの強さの理由
ソラナの回復力は、アクティブユーザーの増加、分散型取引所（DEX）での取引高の増加、エコシステム全体の拡大などの主要な指標に表れています1。特に、ソラナネットワークの待望のアップグレード「ファイアダンサー（Firedancer）」の開発が進行中であり、これがソラナの強さを支えています3。
潜在的なリスク
投資家が念頭に置くべき潜在的なリスクの一つは、マーケットメーカー大手のジャンプ・クリプト（Jump Crypto）がデジタル資産事業を閉鎖するという噂です4。ジャンプ社はソラナエコシステムの重要な初期支援者であり、ソラナネットワークのアップグレードを主導してきました
将来の見通し
暗号資産調査会社デルフィ・デジタル（Delphi Digital）は、ソラナの好調なパフォーマンスが今後も続く可能性があり、イーサリアムとの価格比率は80％上昇にあたる0.1を目指すと予測しています1。デルフィのリサーチアナリスト、マイケル・リンコ氏は、第4四半期にいくつかの大きな出来事が必要になるが、可能性はあるとコメントしています
このように、ソラナは強力なファンダメンタルズとエコシステムの拡大に支えられており、今後も注目すべき暗号資産の一つです。

インフィニオン「コスト競争力で中国対抗」、幹部語る

ピーター・バーウァー氏が述べたように、インフィニオンテクノロジーズは中国勢に対抗するために、性能とコスト競争力の両面で戦略を強化しています。具体的には、マレーシア・クリムにある工場を拡張し、コスト競争力を高める計画です
インフィニオンは、特にパワー半導体分野でのリーダーシップを維持するために、次世代のSiC（炭化ケイ素）技術を活用しています。この技術は、高効率、高電力密度、高耐圧、高信頼性などの利点を持ち、電気自動車（EV）や再生可能エネルギーシステムなどの多様なアプリケーションに適しています
また、インフィニオンはCoolSiC™ MOSFET技術を導入し、エネルギー効率を向上させるとともに、コストを削減することを目指しています。これにより、EV充電ステーションや太陽光発電インバーターなどの分野で競争力を高めています。
このように、インフィニオンは技術革新とコスト効率の両面での取り組みを通じて、グローバル市場での競争力を強化しています。

CoolSiC™ MOSFET技術とは

CoolSiC™ MOSFET技術は、インフィニオンテクノロジーズが提供するシリコンカーバイド（SiC）を基盤としたMOSFET（金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ）技術です。この技術は、従来のシリコンベースのMOSFETに比べて、いくつかの重要な利点を持っています。
主な特徴と利点
高効率:
CoolSiC™ MOSFETは、スイッチング損失を約80%、導通損失を最大50%削減することが可能です。これにより、インバータ効率が99%を超えることができます。
高信頼性:
SiC材料の特性により、高温動作や高スイッチング周波数に対応でき、システム全体の効率を向上させます。
低オン抵抗:
CoolSiC™ MOSFETは、低いオン抵抗（RDS(on)）を実現し、電力密度と変換効率を向上させます。
多様なアプリケーション:
太陽光発電インバーター、蓄電システム、EV充電、産業用電源、モーター駆動など、さまざまな用途で高性能を発揮します。
トレンチ技術:
新しいCoolSiC™ MOSFET G2は、トレンチ技術を採用しており、従来のプレーナ型デバイスに比べて高い性能と信頼性を提供します2。
具体的な応用例
EV充電ステーション:
高効率で低損失の電力変換が求められるEV充電ステーションにおいて、CoolSiC™ MOSFETは重要な役割を果たします。
太陽光発電インバーター:
高い変換効率と信頼性が求められる太陽光発電インバーターでも、CoolSiC™ MOSFETは優れた性能を発揮します。
このように、CoolSiC™ MOSFET技術は、次世代の高効率・高信頼性の電力変換システムを実現するための重要な技術です。

7日の米国株式市場は全体的に反落しました。具体的には、ダウ平均が0.6%、S&P500が0.8%、NASDAQが1.1%下落しました1。寄り付きでは大きく上昇したものの、取引時間中に右肩下がりの下落となり、安値引けの大陰線を形成しました。
主な要因
Super Micro Computerの決算:
Super Micro Computerの決算が予想を下回り、株価は20.1%の暴落となりました。
半導体セクターの下落:
NVIDIAの株価が5.1%下落し、SOX指数（フィラデルフィア半導体株指数）も3.1%下落しました。ブロードコム、エヌビディア、アーム、テスラ、インテルなどの主要半導体銘柄が売られました。
10年国債入札の不調:
10年国債の入札が不調で、最低落札価格が市場予想を大幅に下回り、テール（落札価格の最低と平均の差）が2003年以来の大きさとなりました。これが市場にネガティブな影響を与えました。
その他の動向
アップルやアマゾンは小幅に上昇しましたが、全体的な市場の下落をカバーするには至りませんでした
市場の変動が大きい中で、今後の動向に注目が集まりますね

10年国債入札の不調ならマーケットは下がるのか

10年国債の入札が不調になると、マーケットにネガティブな影響を与えることが多いです。具体的には、以下のような影響があります。
影響の詳細
金利の上昇:
入札が不調だと、投資家の需要が低いことを示し、結果として金利が上昇します。金利の上昇は、企業の借入コストを増加させ、経済活動を抑制する可能性があります。
株式市場への影響:
金利が上昇すると、株式市場にとってはネガティブな要因となります。特に、成長株やテクノロジー株は金利上昇に敏感であり、株価が下落することが多いです。
投資家のリスク回避姿勢:
入札不調は市場の不安定さを示すシグナルと受け取られ、投資家がリスク回避姿勢を強めることがあります3。これにより、安全資産への資金移動が進み、株式市場から資金が流出することがあります。
最近の例
最近の10年国債入札では、最低落札価格が市場予想を大幅に下回り、テール（落札価格の最低と平均の差）が2003年以来の大きさとなりました。これにより、債券市場で金利が上昇し、株式市場にもネガティブな影響が及びました
このように、10年国債の入札結果はマーケット全体に大きな影響を与えることがあるため、投資家にとって重要な指標となります。