少し細かいCCJ（充電、キル後リスポ編）
初めに
ここに書いてあることは実践でのプレイを通して筆者が体感したものの数々や考えになります。精密なデータでなく体系的なものになるので正確性は保証されません。とにかく考え付く限り出してるので雑多です。体感なので違うと思うところあればツイで指摘してください。情報共有はいいことです。
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充電率に関して
充電は通常と特急があります。速度と効率の要素があり、充電機における二つの違いは充電する”速度”が違います。
１回の数字の動きを１メモリとすると、試合上での１カウントにおけるメモリ数は通常が5メモリ、急速は10メモリです。この動きは均等でなく、34、67メモリ目はほぼ連続で変動します。この速度に関してはアビリティで加速できる旨が書いてあるものが存在します。
効率に関しては試合経過時間と相手との充電格差が関係しています。相手との差がある場合の補正がかなり大きいです。実際に大差負けしている方は1メモリあたり1.5％辺りまでなることは確認しており、急速に入って１カウントでも充電できると余裕で10％↑が入ります。一方勝っている方は１メモリあたり0.2％まで下がる事もあり充電しても効率が悪く全然進みません。
効率が1.4％→1.3％→1.0％→0.8％→0.7％→0.6％→0.5％と変化している。
この後も充電を続け17％あたりで0.3％までになる。
効率1.4％だが、１カウント分内で1.1％まで落ちる。
※充電開始は88.5カウント目くらいから
このため充電をしても得が少ない時間が発生することがあります。かなりの格差をつけている場合は通常の充電をしても１カウントで1.0～2.0％程度まで効率が悪化するので充電より逃走に意識を向けます。スキルを溜めて鬼ターン交代時に有利にすること、時間経過による充電効率の上昇を待つこと、とにかくデスを避けるか逃走Pを狙う方が貢献度が稼げます。（スタミナ回復がてら充電するというのはします）
大差をつけられているチームは誰よりも早く充電ができればかなりの数値を貰うことができます。誰かが充電をすると差が減る＝効率が悪くなるので割と争奪戦です。この時の開始位置が苦手な場所だとブチ切れてます。鬼側はターンを交代するのが目的であまり意識を変える必要はありませんが、充電を無理に狙わないことで足を止めてくれない、充電できなくてもいい前提でチェイスをされる可能性があるので少し捕まえるのが難しくなるかもしれません。
相手を撃破した後の選択肢（前提編）
相手を倒した後に取れる立ち回りは倒した相手を再度追いかけるだけではありません。パターンと行動について整理する前に頭に入れておくべきことがあります。
まず最初の１キルを取った鬼は偉いです。鬼の理想は全員が迅速に同じタイミングでそれぞれの敵を倒してターンを交代することです。一番早く倒した鬼はこれがよくできているから偉いのです。それに対して１キル目以降の鬼はキルを取るのが遅いということになります。そこから他が遅れるたび早く倒したのにリスクが生まれることになります。
逃走ポイントのシステムが搭載で「捕まらないけど追いかけているし充電あんまりされてないからいい」という考えは貢献度において無くなりました。捕まらない場合は充電か逃走の貢献を相手に与えていることになります。充電も逃走も稼がれない場合はワープでのお見合いしてる最中だけです。特に逃走は他5人のプレイヤーの取り分が明確に減るので自分だけの問題ではありません。
相手を撃破した後の選択肢（実践編）
ひとつ目はそのまま同じ相手のリス位置を読み、再度追いかけることです。その上でまずはリスポーンする位置の規則性を知る必要があります。
答え：左下の地帯にリスポーンする。
基本的にはリスポーンする際の鬼の位置により決定します。３人の鬼の位置から一番離れた位置にリスポーンします。まずはこれを知っていないと話にならないので注意しましょう。そして相手がリスポーンするにはタイムラグがあり、その間にリスポーン位置を調整することが可能です。以下に例を出します。
ここで倒した場所が青マークの場所だとして、そのまま待機すると０時か１時方向にリスポーンします。ここで緑マークの所まで移動すると0時方向の位置に変化させることができます。また場所がわかっている状況で変化しないギリギリの位置まで詰めることも可能です。ギリギリまで詰めることでリスポーン後のワープや充電を阻止することが可能なのでただ読むだけでなく以下のことを狙うとダブルキルも狙いやすくなります。
注意点としては味方の鬼もその間に動くため狙いがずれる可能性があります。調整や詰めを狙う場合は味方の動きにも注意しましょう。
二つ目は倒した相手を狙わず、他の鬼が追いかけているヒトに向かうことです。2対1を仕掛けて倒しに行きます。
これをするのは残り魂１の場合、オオサカ2のようなステージであれば真ん中に戻る過程や急速に向かう敵が近くにいて狙いやすいなどが主な理由です。リスポの位置が読めない、リスポの読みが外れて（もしくはリスポ後移動で位置がわからない）のでとにかく早く誰でもいいので倒すなどのパターンもあります。これはチェイス途中で見失ってしまった場合にもされる/する可能性があります。
リスクとしてひとりが一定時間放置されることになります。リスの位置次第では急速充電をされて被害を受ける可能性もあるため、仕掛けた結果倒すのが遅く充電を多量にされた場合は判断ミスです。倒した後にキーパワーをどのくらい保持しているかなども意識しましょう。ただし、これが起こる原因に他が倒すのが遅いという要因もあるので仕掛けた人に一概に文句は言いにくいです。されたくないなら迅速に倒しましょう。
2体でヒトを追う場合は挟み込むように意識しましょう。同じ方向から追いかける形になっているのは意味がありません。そういう場合も想定して状況は常に広く見ましょう。
リス読みポイント
リス読みのコツ
読んだ周辺はすぐに視点を水平にして近づきながら見ることで、相手のダッシュのエフェクトやキーパワー獲得の際の光が見える場合があります。見えた場合は確実にいます。ダッシュ開始エフェクトは小さいですが、キーパワー獲得の光は遠くからでも見えます。
キーパワー獲得の光（中と右）
リス後はネームプレートが見えてないので目視の確認が大事です。ある程度近づいていないからと言ってすぐに間違えたと勘違いする場合が多いです。その場合は気持ち長めに見てみましょう。リス後に敢えて壁などに潜伏したり、端に寄り目にすることでネームが見えるまでの距離を取っている場合も考えられます。特に相手がステルスポンチョを持ち込んでいると更に隠れている時間が長いため、潜伏された場合は割り切って向かう事も必要です。
周囲の充電機とワープを意識して見ましょう。そちらの方向に向かうキャラクターが見える場合が多いです。確認のためにワープを見ている場合ワープそのものを咎めることは難しいですが、ワープ先にすぐ向かう事で急速を阻止できる可能性は格段に上がります。ワープされてるのに気づいてない素振りができると更に〇。オニの画面内に映っているのにネームプレートがないため気づいてない人は結構います